SM-R10 / 2x22000 µH

SM-R10 / 2x22000 µH
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Produktinformationen "SM-R10 / 2x22000 µH"
Technische Daten
Induktivität L1 [µH]:22000
Induktivität L2 [µH]:22000
Max. Strom [mA]:700
Max. DC-Widerstand [mΩ]:360
Bauform:SMD
Isolationsspannung [kV]:0,5
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