SM-R10 / 2x670 µH

SM-R10 / 2x670 µH
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Produktinformationen "SM-R10 / 2x670 µH"
Technische Daten
Typ:1
Induktivität L1 [µH]:670
Induktivität L2 [µH]:670
Windungen Spule 1:10
Windungen Spule 2:10
Isolationsspannung [kV]:1
Gehäuse:SM-R10
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